SCTWA50N120

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निर्माता भाग	SCTWA50N120
उत्पादक	STMicroelectronics
विवरण	SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डेटा शीट	SCTWA50N120 PDF

उपलब्धता

स्टॉक में	1,240
यूनिट मूल्य	$ 29.63000

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SCTWA50N120 विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	-
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
फेट टाइप:	N-Channel
तकनीकी:	SiCFET (Silicon Carbide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):	1200 V
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:	65A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):	20V
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:	69mOhm @ 40A, 20V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	3V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	122 nC @ 20 V
वीजीएस (अधिकतम):	+25V, -10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:	1900 pF @ 400 V
फेट फीचर:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	318W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 200°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	HiP247™
पैकेज / केस:	TO-247-3

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