IRF40H210

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निर्माता भाग	IRF40H210
उत्पादक	Rochester Electronics
विवरण	MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डेटा शीट	IRF40H210 PDF

उपलब्धता

स्टॉक में	7,883
यूनिट मूल्य	$ 0.56000

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IRF40H210 विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	HEXFET®, StrongIRFET™
पैकेट:	Bulk
भाग की स्थिति:	Active
फेट टाइप:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):	40 V
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:	100A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):	6V, 10V
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:	1.7mOhm @ 100A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	3.7V @ 150µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	152 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:	5.406 pF @ 25 V
फेट फीचर:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	125W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	8-PQFN (5x6)
पैकेज / केस:	8-PowerVDFN

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