QJD1210011

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निर्माता भाग	QJD1210011
उत्पादक	Powerex, Inc.
विवरण	MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सरणियाँ
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डेटा शीट	QJD1210011 PDF

उपलब्धता

स्टॉक में	9,75,198
यूनिट मूल्य	$ 0.00000

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QJD1210011 विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	-
पैकेट:	Bulk
भाग की स्थिति:	Active
फेट टाइप:	2 N-Channel (Dual)
फेट फीचर:	Silicon Carbide (SiC)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):	1200V (1.2kV)
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:	100A (Tc)
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:	25mOhm @ 100A, 20V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	5V @ 10mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	500nC @ 20V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:	10200pF @ 800V
शक्ति - अधिकतम:	900W
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Chassis Mount
पैकेज / केस:	Module
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	Module

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