APTC90H12T1G

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निर्माता भाग	APTC90H12T1G
उत्पादक	Microsemi
विवरण	MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सरणियाँ
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डेटा शीट	APTC90H12T1G PDF

उपलब्धता

स्टॉक में	43,88,265
यूनिट मूल्य	$ 0.00000

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APTC90H12T1G विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	CoolMOS™
पैकेट:	Tray
भाग की स्थिति:	Obsolete
फेट टाइप:	4 N-Channel (H-Bridge)
फेट फीचर:	Super Junction
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):	900V
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:	30A
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:	120mOhm @ 26A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	3.5V @ 3mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	270nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:	6800pF @ 100V
शक्ति - अधिकतम:	250W
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Chassis Mount
पैकेज / केस:	SP1
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	SP1

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