EPC2106ENGRT

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निर्माता भाग	EPC2106ENGRT
उत्पादक	EPC
विवरण	GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सरणियाँ
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डेटा शीट	EPC2106ENGRT PDF

उपलब्धता

स्टॉक में	7,44,019
यूनिट मूल्य	$ 0.00000

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EPC2106ENGRT विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	eGaN®
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Discontinued at Digi-Key
फेट टाइप:	2 N-Channel (Half Bridge)
फेट फीचर:	GaNFET (Gallium Nitride)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):	100V
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:	1.7A
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:	70mOhm @ 2A, 5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.5V @ 600µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	0.73nC @ 5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:	75pF @ 50V
शक्ति - अधिकतम:	-
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / केस:	Die
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	Die

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