TP65H300G4LSG

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निर्माता भाग	TP65H300G4LSG
उत्पादक	Transphorm
विवरण	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डेटा शीट	TP65H300G4LSG PDF

उपलब्धता

स्टॉक में	240
यूनिट मूल्य	$ 4.02000

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TP65H300G4LSG विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	-
पैकेट:	Tray
भाग की स्थिति:	Active
फेट टाइप:	N-Channel
तकनीकी:	GaNFET (Gallium Nitride)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):	650 V
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:	6.5A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):	8V
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:	312mOhm @ 5A, 8V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.6V @ 500µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	9.6 nC @ 8 V
वीजीएस (अधिकतम):	±18V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:	760 pF @ 400 V
फेट फीचर:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	21W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	3-PQFN (8x8)
पैकेज / केस:	3-PowerDFN

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