SCTH40N120G2V7AG

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निर्माता भाग	SCTH40N120G2V7AG
उत्पादक	STMicroelectronics
विवरण	SICFET N-CH 650V 33A H2PAK-7
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डेटा शीट	SCTH40N120G2V7AG PDF

उपलब्धता

स्टॉक में	2,08,324
यूनिट मूल्य	$ 17.67000

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SCTH40N120G2V7AG विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	Automotive, AEC-Q101
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
फेट टाइप:	N-Channel
तकनीकी:	SiCFET (Silicon Carbide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):	650 V
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:	33A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):	18V
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:	105mOhm @ 20A, 18V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	5V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	63 nC @ 18 V
वीजीएस (अधिकतम):	+22V, -10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:	1230 pF @ 800 V
फेट फीचर:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	250W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	H2PAK-7
पैकेज / केस:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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