GA50JT12-247

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निर्माता भाग	GA50JT12-247
उत्पादक	GeneSiC Semiconductor
विवरण	TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डेटा शीट	GA50JT12-247 PDF

उपलब्धता

स्टॉक में	6
यूनिट मूल्य	$ 99.01000

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GA50JT12-247 विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	-
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Obsolete
फेट टाइप:	-
तकनीकी:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):	1200 V
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:	100A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):	-
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:	25mOhm @ 50A
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	-
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	-
वीजीएस (अधिकतम):	-
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:	7209 pF @ 800 V
फेट फीचर:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	583W (Tc)
परिचालन तापमान:	175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-247AB
पैकेज / केस:	TO-247-3

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