G2R1000MT17D

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निर्माता भाग	G2R1000MT17D
उत्पादक	GeneSiC Semiconductor
विवरण	SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डेटा शीट	G2R1000MT17D PDF

उपलब्धता

स्टॉक में	2,67,553
यूनिट मूल्य	$ 4.86000

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G2R1000MT17D विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	G2R™
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
फेट टाइप:	N-Channel
तकनीकी:	SiCFET (Silicon Carbide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):	1700 V
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:	4A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):	20V
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 2A, 20V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	4V @ 2mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	-
वीजीएस (अधिकतम):	+20V, -5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:	139 pF @ 1000 V
फेट फीचर:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	53W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-247-3
पैकेज / केस:	TO-247-3

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