EPC2010C

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निर्माता भाग	EPC2010C
उत्पादक	EPC
विवरण	GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डेटा शीट	EPC2010C PDF

उपलब्धता

स्टॉक में	11,234
यूनिट मूल्य	$ 6.56000

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EPC2010C विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	eGaN®
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
फेट टाइप:	N-Channel
तकनीकी:	GaNFET (Gallium Nitride)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):	200 V
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:	22A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):	5V
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:	25mOhm @ 12A, 5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.5V @ 3mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	5.3 nC @ 5 V
वीजीएस (अधिकतम):	+6V, -4V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:	540 pF @ 100 V
फेट फीचर:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	-
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	Die Outline (7-Solder Bar)
पैकेज / केस:	Die

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