IPB120N10S403ATMA1

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निर्माता भाग	IPB120N10S403ATMA1
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
विवरण	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डेटा शीट	IPB120N10S403ATMA1 PDF

उपलब्धता

स्टॉक में	2,07,810
यूनिट मूल्य	$ 2.34658

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IPB120N10S403ATMA1 विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Active
फेट टाइप:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):	100 V
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:	120A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):	10V
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:	3.5mOhm @ 100A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	3.5V @ 180µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	140 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:	10120 pF @ 25 V
फेट फीचर:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	250W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	D²PAK (TO-263AB)
पैकेज / केस:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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