IPD220N06L3GBTMA1

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निर्माता भाग	IPD220N06L3GBTMA1
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
विवरण	MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डेटा शीट	IPD220N06L3GBTMA1 PDF

उपलब्धता

स्टॉक में	18,70,030
यूनिट मूल्य	$ 0.92000

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IPD220N06L3GBTMA1 विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	OptiMOS™
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
फेट टाइप:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):	60 V
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:	30A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):	4.5V, 10V
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:	22mOhm @ 30A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.2V @ 11µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	10 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:	1600 pF @ 30 V
फेट फीचर:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	36W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PG-TO252-3
पैकेज / केस:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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