APT66F60B2

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निर्माता भाग	APT66F60B2
उत्पादक	Roving Networks / Microchip Technology
विवरण	MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डेटा शीट	APT66F60B2 PDF

उपलब्धता

स्टॉक में	19
यूनिट मूल्य	$ 13.34000

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APT66F60B2 विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	POWER MOS 8™
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
फेट टाइप:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):	600 V
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:	70A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):	10V
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:	90mOhm @ 33A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	5V @ 2.5mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	330 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±30V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:	13190 pF @ 25 V
फेट फीचर:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	1135W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	T-MAX™ [B2]
पैकेज / केस:	TO-247-3 Variant

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