RQ3E180AJTB

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निर्माता भाग	RQ3E180AJTB
उत्पादक	ROHM Semiconductor
विवरण	MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डेटा शीट	RQ3E180AJTB PDF

उपलब्धता

स्टॉक में	3,000
यूनिट मूल्य	$ 1.05000

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RQ3E180AJTB विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
फेट टाइप:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):	30 V
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:	18A (Ta), 30A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):	2.5V, 4.5V
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 18A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	1.5V @ 11mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	39 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम):	±12V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:	4290 pF @ 15 V
फेट फीचर:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	2W (Ta), 30W (Tc)
परिचालन तापमान:	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	8-HSMT (3.2x3)
पैकेज / केस:	8-PowerVDFN

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