SCT3080ALGC11

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निर्माता भाग	SCT3080ALGC11
उत्पादक	ROHM Semiconductor
विवरण	SICFET N-CH 650V 30A TO247N
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डेटा शीट	SCT3080ALGC11 PDF

उपलब्धता

स्टॉक में	1,705
यूनिट मूल्य	$ 10.86000

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SCT3080ALGC11 विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	-
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
फेट टाइप:	N-Channel
तकनीकी:	SiCFET (Silicon Carbide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):	650 V
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:	30A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):	18V
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:	104mOhm @ 10A, 18V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	5.6V @ 5mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	48 nC @ 18 V
वीजीएस (अधिकतम):	+22V, -4V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:	571 pF @ 500 V
फेट फीचर:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	134W (Tc)
परिचालन तापमान:	175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-247N
पैकेज / केस:	TO-247-3

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