IPI032N06N3GAKSA1

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निर्माता भाग	IPI032N06N3GAKSA1
उत्पादक	Rochester Electronics
विवरण	MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डेटा शीट	IPI032N06N3GAKSA1 PDF

उपलब्धता

स्टॉक में	400
यूनिट मूल्य	$ 1.15000

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IPI032N06N3GAKSA1 विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	OptiMOS™
पैकेट:	Bulk
भाग की स्थिति:	Active
फेट टाइप:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):	60 V
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:	120A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):	10V
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:	3.2mOhm @ 100A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	4V @ 118µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	165 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:	13 pF @ 30 V
फेट फीचर:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	188W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PG-TO262-3
पैकेज / केस:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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