FDI33N25TU

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निर्माता भाग	FDI33N25TU
उत्पादक	Rochester Electronics
विवरण	MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डेटा शीट	FDI33N25TU PDF

उपलब्धता

स्टॉक में	617
यूनिट मूल्य	$ 1.09000

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FDI33N25TU विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	UniFET™
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Obsolete
फेट टाइप:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):	250 V
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:	33A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):	10V
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:	94mOhm @ 16.5A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	48 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±30V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:	2.135 pF @ 25 V
फेट फीचर:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	235W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	I2PAK (TO-262)
पैकेज / केस:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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