FDD7N25LZTM

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निर्माता भाग	FDD7N25LZTM
उत्पादक	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण	MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डेटा शीट	FDD7N25LZTM PDF

उपलब्धता

स्टॉक में	2,432
यूनिट मूल्य	$ 0.96000

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FDD7N25LZTM विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	UniFET™
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
फेट टाइप:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):	250 V
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:	6.2A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):	5V, 10V
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:	550mOhm @ 3.1A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	16 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:	635 pF @ 25 V
फेट फीचर:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	56W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	D-Pak
पैकेज / केस:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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