STB7ANM60N

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निर्माता भाग	STB7ANM60N
उत्पादक	STMicroelectronics
विवरण	MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डेटा शीट	STB7ANM60N PDF

उपलब्धता

स्टॉक में	591
यूनिट मूल्य	$ 2.86000

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STB7ANM60N विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
फेट टाइप:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):	600 V
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:	5A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):	10V
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:	900mOhm @ 2.5A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	4V @ 250mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	14 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±25V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:	363 pF @ 50 V
फेट फीचर:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	45W (Tc)
परिचालन तापमान:	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	D2PAK
पैकेज / केस:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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