MBR12030CTR

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निर्माता भाग	MBR12030CTR
उत्पादक	GeneSiC Semiconductor
विवरण	DIODE MODULE 30V 120A 2TOWER
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	डायोड - रेक्टिफायर - सरणियाँ
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डेटा शीट	MBR12030CTR PDF

उपलब्धता

स्टॉक में	1,71,425
यूनिट मूल्य	$ 68.23320

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MBR12030CTR विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	-
पैकेट:	Bulk
भाग की स्थिति:	Active
डायोड विन्यास:	1 Pair Common Anode
डायोड प्रकार:	Schottky
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	30 V
करंट - औसत रेक्टिफाइड (io) (प्रति डायोड):	120A (DC)
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ if:	650 mV @ 60 A
रफ़्तार:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (trr):	-
करंट - रिवर्स लीकेज @ vr:	3 mA @ 20 V
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55°C ~ 150°C
माउन्टिंग का प्रकार:	Chassis Mount
पैकेज / केस:	Twin Tower
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	Twin Tower

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