TPD3215M

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निर्माता भाग	TPD3215M
उत्पादक	Transphorm
विवरण	GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सरणियाँ
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डेटा शीट	TPD3215M PDF

उपलब्धता

स्टॉक में	22
यूनिट मूल्य	$ 175.13000

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TPD3215M विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	-
पैकेट:	Bulk
भाग की स्थिति:	Obsolete
फेट टाइप:	2 N-Channel (Half Bridge)
फेट फीचर:	GaNFET (Gallium Nitride)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):	600V
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:	70A (Tc)
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:	34mOhm @ 30A, 8V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	-
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	28nC @ 8V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:	2260pF @ 100V
शक्ति - अधिकतम:	470W
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
पैकेज / केस:	Module
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	Module

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