EPC2100ENGRT

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निर्माता भाग	EPC2100ENGRT
उत्पादक	EPC
विवरण	GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सरणियाँ
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डेटा शीट	EPC2100ENGRT PDF

उपलब्धता

स्टॉक में	78,312
यूनिट मूल्य	$ 5.18320

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EPC2100ENGRT विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	eGaN®
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
फेट टाइप:	2 N-Channel (Half Bridge)
फेट फीचर:	GaNFET (Gallium Nitride)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):	30V
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:	10A (Ta), 40A (Ta)
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:	8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:	475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
शक्ति - अधिकतम:	-
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / केस:	Die
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	Die

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