DF11MR12W1M1B11BOMA1

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निर्माता भाग	DF11MR12W1M1B11BOMA1
उत्पादक	Rochester Electronics
विवरण	IGBT MODULE
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सरणियाँ
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डेटा शीट	DF11MR12W1M1B11BOMA1 PDF

उपलब्धता

स्टॉक में	83
यूनिट मूल्य	$ 120.00000

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DF11MR12W1M1B11BOMA1 विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	*
पैकेट:	Bulk
भाग की स्थिति:	Active
फेट टाइप:	2 N-Channel (Dual)
फेट फीचर:	Silicon Carbide (SiC)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):	1200V (1.2kV)
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:	50A
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:	23mOhm @ 50A, 15V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	5.5V @ 20mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	125nC @ 5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:	3950pF @ 800V
शक्ति - अधिकतम:	20mW
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Chassis Mount
पैकेज / केस:	Module
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	Module

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