MSCSM120TAM11CTPAG

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निर्माता भाग	MSCSM120TAM11CTPAG
उत्पादक	Roving Networks / Microchip Technology
विवरण	PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6P
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सरणियाँ
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

उपलब्धता

स्टॉक में	3
यूनिट मूल्य	$ 1035.31000

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MSCSM120TAM11CTPAG विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	-
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
फेट टाइप:	6 N-Channel (3-Phase Bridge)
फेट फीचर:	Silicon Carbide (SiC)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):	1200V (1.2kV)
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:	251A (Tc)
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:	10.4mOhm @ 120A, 20V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.8V @ 3mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	696nC @ 20V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:	9060pF @ 1000V
शक्ति - अधिकतम:	1.042kW (Tc)
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Chassis Mount
पैकेज / केस:	Module
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	SP6-P

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