FDD3510H

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निर्माता भाग	FDD3510H
उत्पादक	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण	MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सरणियाँ
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डेटा शीट	FDD3510H PDF

उपलब्धता

स्टॉक में	474
यूनिट मूल्य	$ 1.25000

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FDD3510H विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	PowerTrench®
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
फेट टाइप:	N and P-Channel, Common Drain
फेट फीचर:	Logic Level Gate
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):	80V
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:	4.3A, 2.8A
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:	80mOhm @ 4.3A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	4V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	18nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:	800pF @ 40V
शक्ति - अधिकतम:	1.3W
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / केस:	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-252-4L

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