SQJ912AEP-T1_GE3

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निर्माता भाग	SQJ912AEP-T1_GE3
उत्पादक	Vishay / Siliconix
विवरण	MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सरणियाँ
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डेटा शीट	SQJ912AEP-T1_GE3 PDF

उपलब्धता

स्टॉक में	7,82,730
यूनिट मूल्य	$ 1.22000

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SQJ912AEP-T1_GE3 विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
फेट टाइप:	2 N-Channel (Dual)
फेट फीचर:	Standard
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):	40V
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:	30A
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:	9.3mOhm @ 9.7A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	38nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:	1835pF @ 20V
शक्ति - अधिकतम:	48W
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / केस:	PowerPAK® SO-8 Dual
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PowerPAK® SO-8 Dual

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