SI7900AEDN-T1-GE3

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निर्माता भाग	SI7900AEDN-T1-GE3
उत्पादक	Vishay / Siliconix
विवरण	MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार	ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सरणियाँ
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
वितरण:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुगतान	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डेटा शीट	SI7900AEDN-T1-GE3 PDF

उपलब्धता

स्टॉक में	1
यूनिट मूल्य	$ 1.23000

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SI7900AEDN-T1-GE3 विशेष विवरण

प्रकार	विवरण
श्रृंखला:	TrenchFET®
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
फेट टाइप:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
फेट फीचर:	Logic Level Gate
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):	20V
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:	6A
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:	26mOhm @ 8.5A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	900mV @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	16nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:	-
शक्ति - अधिकतम:	1.5W
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / केस:	PowerPAK® 1212-8 Dual
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PowerPAK® 1212-8 Dual

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